SiC缺陷检测设备

产品优势

标准样品学习和基本晶粒建立功能

产品优势

自动查找晶圆范围、计算晶粒周期与整体周期

产品优势

晶粒分布建立,MAP输出画面,全晶圆图拼接功能

产品优势

AI深度学习,自建缺陷种类,并形成判断模型

设备参数
晶圆厚度 150~1000μm
晶圆尺寸 4寸、6寸、8寸
晶圆翘曲 ≤1mm
晶粒尺寸 ≥100μm×100μm
UPH以单WAFER1万个晶粒估算 4":120pcs @1μm (整面)
60pcs @0.5μm (整面)
6":60pcs @1μm (整面)
25pcs @0.5μm (整面)
8":30pcs @1μm (整面)
12pcs @0.5μm (整面)